特許
J-GLOBAL ID：201303070461903793
半導体素子のボンディングパッド及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211955
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231753
特許番号：特許第4854143号
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成されている第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の上部のパッド形成部に形成されたP-ポリパターンと、
前記P-ポリパターンを含む前記第1層間絶縁層の上部に形成されている第2層間絶縁層と、
前記P-ポリパターンの上部の前記第2層間絶縁層の上部に形成され、前記P-ポリパターンよりも小さく形成されている第1メタルパッドと、
前記第1メタルパッドを含む前記第2層間絶縁層の上部に形成されている第3層間絶縁層と、
前記P-ポリパターンの上部の前記第3層間絶縁層の上部に設置され、パッド窓領域の外郭にある前記第2層間絶縁層および前記第3層間絶縁層を貫通して前記第1メタルパッドおよび前記P-ポリパターンにそれぞれ接続して形成されている第2メタルパッドと、
前記パッド窓領域の前記第2メタルパッドの表面が露出するように形成されている保護層と、
からなることを特徴とする半導体素子のボンディングパッド。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
H01L 21/60 301 P
, H01L 21/60 301 N
, H01L 21/88 T
