整流素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-094148
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222858
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】高速なスイッチング特性と十分な整流性とを実現する整流素子を提供すること。【解決手段】第1の仕事関数を有する第1電極と、前記第1の仕事関数よりも大きい第2の仕事関数を有する第2電極と、前記第1の仕事関数と前記第2の仕事関数との間の値の第3の仕事関数を有し、前記第1電極と前記第2電極とに接合する半導体層と、を備える整流素子。好ましくは、前記半導体層は、前記第1電極と前記第2電極との間にバイアス電圧を印可しない状態で完全に空乏となる厚さに設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の仕事関数を有する第1電極と、前記第1の仕事関数よりも大きい第2の仕事関数を有する第2電極と、前記第1の仕事関数と前記第2の仕事関数との間の値の第3の仕事関数を有し、前記第1電極と前記第2電極とに接合する半導体層と、を備えることを特徴とする整流素子。

IPC (3件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 31/026

FI (3件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L31/08 M

Fターム (8件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 5F088AA04

引用特許：

出願人引用 (9件)

電界効果半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-045269 出願人：サンケン電気株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-287472 出願人：三洋電機株式会社
自然故障装置との連動使用に適する電磁整流アンテナ
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-535887 出願人：シルバー,ガイ, ウー,ジュイネロン

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審査官引用 (9件)

電界効果半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-045269 出願人：サンケン電気株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-287472 出願人：三洋電機株式会社
自然故障装置との連動使用に適する電磁整流アンテナ
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-535887 出願人：シルバー,ガイ, ウー,ジュイネロン

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Electrode dependence of resistance switching in polycrystalline NiO films

審査官引用 (1件)

Electrode dependence of resistance switching in polycrystalline NiO films

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