特許
J-GLOBAL ID:201003090912188499

電界効果半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-045269
公開番号(公開出願番号):特開2010-199481
出願日: 2009年02月27日
公開日(公表日): 2010年09月09日
要約:
【課題】オン抵抗及びゲートリーク電流の小さいノーマリオフ特性を有し、且つ特性のばらつきが少ない電界効果半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体層4と、前記第1の半導体層上に配置され且つ前記第1の半導体層よりも格子定数が小さい材料で形成された第2の半導体層5aと、前記第2の半導体層上に配置され且つ前記第1の半導体層よりも格子定数が小さい材料で形成された第3の半導体層5bとを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に配置された第1の主電極6と、前記主半導体領域上に配置された第2の主電極7と、前記主半導体領域上における前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に配置され且つ前記第3の半導体層を貫通する凹部と、前記凹部上に配置される金属酸化物半導体膜10と、前記金属酸化物半導体膜上に配置されるゲート電極8と、を備えることを特徴とする電界効果半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
互いに対向する一方及び他方の主面と、 前記一方及び他方の主面間に配置された第1の半導体層(電子走行層)と、 前記第1の半導体層と前記一方の主面との間に配置され且つ前記第1の半導体層にヘテロ接合され且つ前記第1の半導体層よりも格子定数が小さい材料で形成された第2の半導体層(第1の電子供給層)と、 前記第2の半導体層と前記一方の主面との間に配置され且つ前記第2の半導体層に格子整合され且つ前記第1の半導体層よりも格子定数が小さい材料で形成された第3の半導体層(第2の電子供給層)と、 前記ヘテロ接合に基づいて前記第1の半導体層に形成される2次元キャリアガス層と、 を備える主半導体領域と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上に配置され且つ前記第1の半導体層の前記2次元キャリアガス層に電気的に結合された第1の主電極と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上に前記第1の主電極から離間して配置され且つ前記第1の半導体層の前記2次元キャリアガス層に電気的に結合された第2の主電極と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上における前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に配置され且つ前記第3の半導体層を貫通する凹部と、 前記凹部上に配置され且つ前記2次元キャリアガス層のキャリアを低減させる導電型を有している金属酸化物半導体膜と、 前記金属酸化物半導体膜上に配置されるゲート電極と、 を備えることを特徴とする電界効果半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (2件):
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B
Fターム (52件):
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD77 ,  4M104DD78 ,  4M104EE01 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS02 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT07 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102HC02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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