特許
J-GLOBAL ID：201303073057745164
フォトマスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103987
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296760
特許番号：特許第4999234号
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下層配線層上に形成された層間絶縁膜にビアホールを開口する工程と、前記ビアホールを含む前記層間絶縁膜に配線溝を開口する工程と、前記ビアホール及び配線溝に配線材料を埋め込む工程と、前記配線材料の表面を前記層間絶縁膜の表面と共に平坦化して前記ビアホール及び配線溝内に残しビア及び上層配線層を形成する工程を含むデュアルダマシン構造の半導体装置の製造方法において、
下層配線層上に形成された層間絶縁膜にビアホール及び配線溝を形成し、前記ビアホール及び配線溝に配線材料を埋め込んで上層配線層を形成するデュアルダマシン構造の半導体装置を製造する際に用いられるフォトマスクであって、
前記フォトマスクに設けられ、前記下層配線層に対して前記ビアホールを位置合わせするための線状をしたビア位置合わせマークの幅寸法が、光学的に検知可能な幅寸法以上で、かつ前記層間絶縁膜の膜厚以下であり、
前記ビア位置合わせマークが前記下層配線層または上層配線層と同時に形成される下層または上層の位置合わせマークと平行に配置され、平面X方向及びY方向に対向配置される対をなす直線状のスリットの組であり、
前記各スリットの組がX方向及びY方向にそれぞれ微小間隔おいて配置された2本のスリットで構成され、
前記ビア位置合わせマークが所要幅の枠状パターンの外周に沿って前記各スリットの組が配置されたフォトマスクを、
前記ビアホールを開口する際のフォトリソグラフィ工程で用いて、前記層間絶縁膜上に設けられたフォトレジスト膜にビア位置合わせパターンを形成し、第1のスリットの組に含まれる2本のスリットで形成したビア位置合わせパターンの中心位置を第1の中心位置として検出するとともに、前記第1のスリットと対をなす第2のスリットの組に含まれる2本のスリットで形成したビア位置合わせパターンの中心位置を第2の中心位置として検出し、前記第1の中心位置および前記第2の中心位置の間の中心位置を検出することにより、前記下層配線層に対する前記ビアホールの位置合わせを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/38 ( 201 2.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
G03F 1/08 M
, H01L 21/30 502 M
, H01L 21/90 A
