特許
J-GLOBAL ID：201303086885144284

半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置

発明者：
為本 広昭

為本 広昭 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-234580
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016871
出願日： 2012年10月24日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】 基板裏面に設けるメタライズ層を好適に、所望形状に画設でき、高出力・高効率の発光素子・装置を得る。【解決手段】 基板の第1主面上に半導体発光素子構造を有し、第2主面上に反射層を含む積層構造体を有する半導体発光素子であって、積層構造体が、上層側と、該上層側から外側に延在した延在部を含む下層側とを有し、発光素子構造は、非発光領域と、少なくともその一部が該非発光領域により分離された複数の発光領域と、を有し、積層構造体は、複数の発光領域と、その間の非発光領域を覆うように設けられている。【選択図】図8A
請求項（抜粋）：
基板の第1主面上に半導体発光素子構造を有し、第2主面上に反射層を含む積層構造体を有する半導体発光素子であって、 前記積層構造体が、上層側と、該上層側から外側に延在した延在部を含む下層側とを有し、 前記発光素子構造は、非発光領域と、少なくともその一部が該非発光領域により分離された複数の発光領域と、を有し、 前記積層構造体は、前記複数の発光領域と、その間の非発光領域を覆うように設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/02 ,  H01L 33/48
FI (2件)：
H01L33/00 100 ,  H01L33/00 400
Fターム (23件)：
5F141AA03 ,  5F141AA42 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA76 ,  5F141CA88 ,  5F141CB15 ,  5F141CB25 ,  5F142AA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA02 ,  5F142CB01 ,  5F142CD13 ,  5F142CD17 ,  5F142CD18 ,  5F142CE02 ,  5F142CE13 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA73 ,  5F142DB12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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