特許
J-GLOBAL ID：201303087086604392
半導体積層体及び面発光レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006259
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219323
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】キャリア閉じ込め効果が高く、かつ、放熱特性に優れた高利得の半導体積層体を提供する。【解決手段】基板の上に形成された半導体DBRと、前記半導体DBRの上に形成されたワイドバンド半導体層と活性層とが交互に積層形成された共振器層と、を有し、前記活性層は、MQW層と、前記MQW層の両面に形成された2層のスペーサ層とを有するものであって、前記MQW層は、障壁層と量子井戸層とが交互に積層形成されており、前記ワイドバンド半導体層はn層形成されており、前記ワイドバンド半導体層のうち、前記基板側からm番目のワイドバンド半導体層におけるバンドギャップをEgmとし、前記基板側からm-1番目のワイドバンド半導体層におけるバンドギャップをEgm-1とし、n、mは2以上の整数であって、1<m≦nとした場合に、Egm-1<Egmとなるものであることを特徴とする半導体積層体を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された半導体DBRと、
前記半導体DBRの上に形成されたワイドバンド半導体層と活性層とが交互に積層形成された共振器層と、
を有し、
前記活性層は、MQW層と、前記MQW層の両面に形成された2層のスペーサ層とを有するものであって、
前記MQW層は、障壁層と量子井戸層とが交互に積層形成されており、
前記ワイドバンド半導体層はn層形成されており、前記ワイドバンド半導体層のうち、前記基板側からm番目のワイドバンド半導体層におけるバンドギャップをEgmとし、前記基板側からm-1番目のワイドバンド半導体層におけるバンドギャップをEgm-1とし、n、mは2以上の整数であって、1<m≦nとした場合に、
Egm-1<Egm
となるものであることを特徴とする半導体積層体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F173AB33
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AC61
, 5F173AF05
, 5F173AF12
, 5F173AF15
, 5F173AH08
, 5F173AH13
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AP33
, 5F173AP36
, 5F173AP67
, 5F173AR14
, 5F173AR25
, 5F173AR26
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
-
"Efficient blue lasers based on gain structure optimizing of vertical-external-cavitysurface-emittin
審査官引用 (1件)
-
"Efficient blue lasers based on gain structure optimizing of vertical-external-cavitysurface-emittin
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