特許
J-GLOBAL ID：201403016983934772

半導体素子3次元実装用充填材

発明者：
間彦 智明

間彦 智明 について

, 
三宅 弘人

三宅 弘人 について

, 
奥村 有道

奥村 有道 について


出願人/特許権者：
株式会社ダイセル

株式会社ダイセル について


代理人 (1件)： 後藤 幸久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-135167
公開番号（公開出願番号）：特開2013-256634
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：
【課題】 COWプロセスにおいて薄い3次元半導体素子装置を製造する上で有用な半導体製造プロセス用部材、及び該部材を形成できる硬化性組成物を提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子3次元実装用充填材は、複数の半導体素子を積層し集積して3次元半導体素子装置を製造する際に、横方向に隣接する半導体素子間の隙間を埋める充填材であって、該充填材は、半導体素子間の隙間を埋めた状態で半導体素子の裏面側から素子とともに研磨及び/又は研削され、平坦化される部材であることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子を積層し集積して3次元半導体素子装置を製造する際に、横方向に隣接する半導体素子間の隙間を埋める充填材であって、該充填材は、半導体素子間の隙間を埋めた状態で半導体素子の裏面側から素子とともに研磨及び/又は研削され、平坦化される部材であることを特徴とする半導体素子3次元実装用充填材。
IPC (9件)：
C08G 59/22 ,  C08G 59/68 ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/54 ,  C08L 63/02 ,  C08L 63/00 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07
FI (7件)：
C08G59/22 ,  C08G59/68 ,  C08K3/00 ,  C08K5/54 ,  C08L63/02 ,  C08L63/00 C ,  H01L25/08 Z
Fターム (26件)：
4J002CD02X ,  4J002CD05W ,  4J002DE146 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD016 ,  4J002GQ05 ,  4J036AD08 ,  4J036AD21 ,  4J036AJ09 ,  4J036AJ10 ,  4J036AJ11 ,  4J036FA01 ,  4J036FA05 ,  4J036FA13 ,  4J036GA02 ,  4J036GA03 ,  4J036GA04 ,  4J036GA21 ,  4J036GA22 ,  4J036GA23 ,  4J036GA24 ,  4J036GA25 ,  4J036GA26 ,  4J036GA28 ,  4J036HA01 ,  4J036JA07
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM