特許
J-GLOBAL ID：201403047029356892
荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工方法、及び荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工コンピュータプログラム
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
赤尾 謙一郎
, 下田 昭
, 栗原 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-067319
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192037
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】特定の結晶方位を示す断面を簡単かつ正確に形成できる荷電粒子ビーム装置を提供する。【解決手段】試料2を支持する試料ステージ60と、集束イオンビーム鏡筒と、電子ビーム30Aの照射により試料の断面2Aから発生する後方散乱電子40Aを検出する散乱電子検出器40と、後方散乱電子に基づいて断面の所定の領域の結晶方位情報を生成する結晶方位情報生成部90Aと、断面の向きに対応した試料ステージの取付け角度を算出する角度算出部90Bと、結晶方位情報を表示する表示部91と、を有する荷電粒子ビーム装置100であって、表示部に表示された領域の結晶方位情報を、目的とする第2の結晶方位情報に変更する旨の情報が入力されると、角度算出部90Bは、第2の結晶方位情報を生成するための断面の向きに対応した取付け角度を算出し、集束イオンビーム鏡筒は、算出された取付け角度にて試料2の断面をエッチング加工する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子ビームを照射するための電子ビーム鏡筒と、
試料を支持する試料ステージと、
前記試料に集束イオンビームを照射し断面を形成するための集束イオンビーム鏡筒と、
前記電子ビームの照射により前記断面から発生する後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器と、
前記後方散乱電子に基づいて前記断面の所定の領域の結晶方位情報を生成する結晶方位情報生成部と、
前記断面の向きに対応した前記試料ステージの取付け角度を算出する角度算出部と、
前記結晶方位情報を表示する表示部と、
を有する荷電粒子ビーム装置であって、
前記表示部に表示された前記領域の前記結晶方位情報を、目的とする第2の結晶方位情報に変更する旨の情報が入力されると、
前記角度算出部は、前記第2の結晶方位情報を生成するための前記断面の向きに対応した前記取付け角度を算出し、
前記集束イオンビーム鏡筒は、前記算出された取付け角度にて前記試料に集束イオンビームを照射し前記断面をエッチング加工する荷電粒子ビーム装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01J 37/20
, H01J 37/22
, H01J 37/28
H01J37/317 D
, H01J37/20 A
, H01J37/22 502Z
, H01J37/28 B
, H01J37/28 Z
5C001AA01
, 5C001AA05
, 5C001AA06
, 5C001CC04
, 5C001CC08
, 5C033UU03
, 5C033UU05
, 5C033UU10
, 5C034DD09
