特許
J-GLOBAL ID：201403060060876981
強誘電体膜付きシリコン基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-100967
公開番号（公開出願番号）：特開2014-222685
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：
【課題】強誘電体膜が形成される基板本体表面とは反対側の基板本体裏面にストレスバランス層を形成することなく、シリコン基板に発生する残留応力を低減し、これによりシリコン基板に発生する反りを抑制する。【解決手段】基板本体11上にゾルゲル法により形成されたPZT系の強誘電体膜12中の残留応力が-14MPa〜-31MPaであり、強誘電体膜12が(100)面に結晶配向される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板本体上にゾルゲル法により形成されたPZT系の強誘電体膜中の残留応力が-14MPa〜-31MPaであり、前記強誘電体膜が(100)面に結晶配向されたことを特徴とする強誘電体膜付きシリコン基板。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 41/318
, C01G 25/00
H01L21/316 G
, H01L21/316 B
, H01L41/318
, C01G25/00
4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC02
, 4G048AD02
, 4G048AE08
, 5F058BA04
, 5F058BC03
, 5F058BF46
, 5F058BH01
