窒化物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：酒井宏明 , 田代至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-237246
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086698
出願日： 2012年10月26日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】III族窒化物半導体において、p型ドーパントを効率良くドーピングでき、高いアクセプタ濃度を実現して高いホール濃度を実現すること。【解決手段】Si基板やサファイア基板上に、エピタクシャル成長およびイオン注入法の少なくとも一方を用いて形成された少なくとも1層以上のp型導電性を有するIII族窒化物半導体層を形成する。III族窒化物半導体層を形成する際に、p型ドーパントのMgと同時に、III族元素置換の形成エネルギーがMgより高いZn、Li、Au、Ag、Cu、Pt、およびPdから選択された少なくとも1種類の金属元素をドープし、格子間位置に導入させる。Mgのアクセプタとしての活性化以降、III族窒化物半導体層から金属元素を除去し、金属元素の濃度をMgの濃度の1/100以下にし、1018〜1019cm-3以上のホール濃度を実現する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された少なくとも1層以上のp型導電性を有するIII族窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置の製造方法であって、前記p型導電性を有するIII族窒化物半導体層を、p型ドーパントのマグネシウムとIII族元素置換の形成エネルギーが前記マグネシウムよりも高い金属元素とを同時にドープして、前記III族窒化物半導体層における格子間位置に前記金属元素を導入させて形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/20 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/205 , H01L 33/32

FI (6件)：

H01L21/20 , H01L29/80 H , H01L29/91 F , H01L29/78 301B , H01L21/205 , H01L33/00 186

Fターム (75件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR07 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT08 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F140BA06 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BG42 , 5F140BH15 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F141AA24 , 5F141CA40 , 5F141CA46 , 5F141CA49 , 5F141CA53 , 5F141CA57 , 5F141CA58 , 5F141CA65 , 5F141CA73 , 5F141CA99 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL07 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152LN12 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM16 , 5F152NN03 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN17 , 5F152NN29 , 5F152NP14 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (10件)

化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-351714 出願人：昭和電工株式会社
ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-543541 出願人：クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-227835 出願人：松下電器産業株式会社

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