基板処理方法と半導体装置の製造方法、および基板処理装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-131857
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258188
出願日： 2012年06月11日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】成膜速度を確保しつつ、所望のドーパント濃度を有するソース/ドレイン領域を形成することができる基板処理方法と半導体装置の製造方法、および基板処理装置を提供する。【解決手段】表面の少なくとも一部に絶縁膜を有するとともに基板上にソース部とドレイン部とゲート部を有し、前記ゲート部の下方に配置されたゲートチャネルに単結晶シリコンを用いた構造を有する基板を処理する基板処理方法であって、少なくともシリコン含有ガスとドーピングガスとを供給して非晶質のドープトシリコンと、単結晶のドープトシリコンとを成長させる工程と、前記非晶質のドープトシリコンと前記単結晶のドープトシリコンとを加熱することで前記単結晶のドープトシリコンを種として前記非晶質のドープトシリコンを単結晶化させる工程と、を有する基板処理方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部に絶縁膜を有するとともにソース部とドレイン部とゲート部を有する基板を処理する基板処理方法であって、少なくともシリコン含有ガスとドーピングガスとを供給して非晶質のドープトシリコンと、前記ゲート部に設けられたゲートチャネルに単結晶のドープトシリコンとを成長させる工程と、前記非晶質のドープトシリコンと前記単結晶のドープトシリコンとを加熱することで前記単結晶のドープトシリコンを種として前記非晶質のドープトシリコンを単結晶化させる工程と、を有する基板処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/56 , C23C 16/24 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 21/20

FI (8件)：

H01L21/205 , C23C16/56 , C23C16/24 , H01L29/78 616L , H01L29/78 627G , H01L29/78 301S , H01L29/78 616V , H01L21/20

Fターム (89件)：

4K030AA06 , 4K030AA08 , 4K030AA09 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030BB05 , 4K030CA01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB08 , 5F045CA05 , 5F045DA57 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EB08 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EF03 , 5F045EK06 , 5F045HA16 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110HK08 , 5F110HK13 , 5F110HK25 , 5F110HK27 , 5F110HK34 , 5F110HK41 , 5F110HM02 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP16 , 5F110PP23 , 5F110PP38 , 5F110QQ09 , 5F140AA01 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BK09 , 5F140BK17 , 5F140BK20 , 5F140BK23 , 5F140CB04 , 5F140CE10 , 5F152AA02 , 5F152AA11 , 5F152BB02 , 5F152CC08 , 5F152CC16 , 5F152CD12 , 5F152CD25 , 5F152CE05 , 5F152CE07 , 5F152CE13 , 5F152CE32 , 5F152CE38 , 5F152CG05 , 5F152CG17 , 5F152EE12 , 5F152FF22 , 5F152FF29

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-165385 出願人：シャープ株式会社
半導体エピタキシャル基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-134401 出願人：株式会社東芝
特許第6346732号

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