特許
J-GLOBAL ID：201503015320724341
圧電素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
, 久保 貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-158532
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032587
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：
【課題】より結晶性の高い圧電薄膜を備えた圧電素子を提供する。【解決手段】圧電素子100は、所定の面方位を一面に有する基板10と、一面に積層された下部電極20と、下部電極20上に積層され、圧電体からなる圧電薄膜30と、圧電薄膜30上に積層された上部電極40と、を備える。上部電極40は、圧電薄膜30を変形させるために下部電極20との間に電圧が印加される。そして、圧電薄膜30は、物理気相成長法(PVD)もしくは化学気相成長法(CVD)を用いてエピタキシャルにより成膜される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の面方位を一面に有する基板(10)と、
前記一面に積層された下部電極(20)と、
前記下部電極上に積層され、圧電体からなる圧電薄膜(30)と、
前記圧電薄膜上に積層され、前記圧電薄膜を変形させるために前記下部電極との間に電圧が印加される上部電極(40)と、
を備え、
前記圧電薄膜は、物理気相成長法(PVD)もしくは化学気相成長法(CVD)を用いて、前記下部電極上にエピタキシャル成長された第1エピタキシャル膜(31)を有することを特徴とする圧電素子。
IPC (8件)：
H01L 41/316
, H01L 41/047
, H01L 41/187
, H01L 41/09
, H01L 41/29
, H01L 41/318
, G02B 26/08
, G02B 26/10
H01L41/316
, H01L41/047
, H01L41/187
, H01L41/09
, H01L41/29
, H01L41/318
, G02B26/08 E
, G02B26/10 104Z
2H045AB72
, 2H045AB81
, 2H141MA12
, 2H141MB24
, 2H141MB27
, 2H141MB52
, 2H141MC09
, 2H141MD12
, 2H141MD16
, 2H141MD20
, 2H141MF12
, 2H141MF14
, 2H141MG06
, 2H141MZ25
, 3C081BA11
, 3C081BA22
, 3C081BA28
, 3C081BA31
, 3C081BA44
, 3C081BA47
, 3C081BA55
, 3C081CA27
, 3C081CA28
, 3C081CA29
, 3C081DA03
, 3C081DA27
, 3C081DA29
, 3C081EA08
