特許

J-GLOBAL ID：200903026721839324

半導体基板上の積層構造

発明者： 石田 誠 ,  澤田 和明 ,  赤井 大輔 ,  伊藤 幹記 ,  大隣 樹人 ,  菊池 賢朗
出願人/特許権者： 国立大学法人豊橋技術科学大学
代理人 (1件)： 吉田 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-066393
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227345
出願日： 2007年03月15日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】シリコン基板上にバッファ層としてγ-Al2O3単結晶膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子を提供する。【解決手段】MFMIS構造薄膜2の最下層のシリコン基板4上には、γ-Al2O3単結晶膜6が形成されている。γ-Al2O3単結晶膜6の直上には、酸化物導電体であるLaNiO3膜8が下部電極として形成されている。LaNiO3膜8の直上には、強誘電体材料であるPZT薄膜10が形成されている。PZT薄膜10の上面には、上部電極であるPt層12が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶膜を有し、前記γ-Al2O3単結晶膜上に、ペロブスカイト構造の擬立方晶の金属酸化物層ABO3(Aは、Sr、Laからなる群より選ばれる少なくとも1種、Bは、Ru、Niからなる群より選ばれる少なくとも1種)を有する酸化物電極薄膜をさらに備えることを特徴とする半導体基板上の積層構造。

IPC (7件)：

H01L 41/22 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/187

FI (5件)：

H01L41/22 Z ,  H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371 ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101D

Fターム (12件)：

5F083FR07 ,  5F083GA11 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA45 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BE07 ,  5F101BH01 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-071584   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078939   出願人：株式会社東芝
• シリコン上に集積された強誘電体キャパシタ用の電極構造および作成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-518425   出願人：テルコーディアテクノロジーズインコーポレイテッド, ユニバーシティオブメリーランド
• 強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-169266   出願人：ソニー株式会社
• 強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161422   出願人：ソニー株式会社
• 酸化物積層構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158521   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-026344   出願人：富士フイルム株式会社
• 薄膜赤外線検出素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-074401   出願人：国立大学法人豊橋技術科学大学, 日置電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• エピタキシャルγ-Al2O3/Si基板上への強誘電体薄膜形成