特許
J-GLOBAL ID：200903026721839324
半導体基板上の積層構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-066393
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227345
出願日： 2007年03月15日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】シリコン基板上にバッファ層としてγ-Al2O3単結晶膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子を提供する。【解決手段】MFMIS構造薄膜2の最下層のシリコン基板4上には、γ-Al2O3単結晶膜6が形成されている。γ-Al2O3単結晶膜6の直上には、酸化物導電体であるLaNiO3膜8が下部電極として形成されている。LaNiO3膜8の直上には、強誘電体材料であるPZT薄膜10が形成されている。PZT薄膜10の上面には、上部電極であるPt層12が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶膜を有し、前記γ-Al2O3単結晶膜上に、ペロブスカイト構造の擬立方晶の金属酸化物層ABO3(Aは、Sr、Laからなる群より選ばれる少なくとも1種、Bは、Ru、Niからなる群より選ばれる少なくとも1種)を有する酸化物電極薄膜をさらに備えることを特徴とする半導体基板上の積層構造。
IPC (7件)：
H01L 41/22
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 41/08
, H01L 41/187
H01L41/22 Z
, H01L27/10 444A
, H01L29/78 371
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101D
5F083FR07
, 5F083GA11
, 5F083JA02
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA45
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F101BA62
, 5F101BE07
, 5F101BH01
, 5F101BH16
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
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