特許
J-GLOBAL ID：201503035222969850
半導体光素子アレイおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-132114
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239718
特許番号：特許第5687731号
出願日： 2013年06月24日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の凹部が形成された主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の当該主面上に形成され、かつ前記複数の凹部の直上にそれぞれ設けられた複数の開口部を有するマスクパターンと、
前記複数の凹部から前記複数の開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる複数の微細柱状結晶と、
前記複数の微細柱状結晶上にそれぞれ成長した活性層または光吸収層と、
前記各活性層または光吸収層を被覆する半導体層と、
を備える半導体光素子アレイ。
IPC (9件)：
H01L 33/24 ( 201 0.01)
, H01L 33/06 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 33/08 ( 201 0.01)
, H01L 31/0352 ( 200 6.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
H01L 33/00 174
, H01L 33/00 112
, H01L 33/00 186
, H01L 33/00 120
, H01L 31/04 342 B
, H01L 31/04 400
, H01L 21/205
, H01L 21/203 M
, C30B 29/38
