特許
J-GLOBAL ID：201503036702464894

加工方法

発明者：
熊澤 哲

熊澤 哲 について

, 
小田中 健太郎

小田中 健太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 川村 恭子 ,  佐々木 功 ,  久保 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-181016
公開番号（公開出願番号）：特開2015-047618
出願日： 2013年09月02日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：
【課題】デバイスへのデブリの付着を低減できるようにすることを目的とする。【解決手段】デバイスウェーハの加工方法は、デバイスウェーハ1の表面2に保護膜8aを被覆する保護膜被覆ステップと、保護膜被覆ステップを実施後、第一の出力で加工予定ライン4に沿ってレーザビーム31を照射して加工予定ライン4上の保護膜8aを除去する除去ステップと、除去ステップを実施後、第一の出力よりも高い第二の出力で加工予定ライン4上の保護膜8aが除去された部分に沿ってデバイスウェーハ1に対して吸収性を有する波長のレーザビーム32をデバイスウェーハ1の表面2側から照射するレーザ加工ステップとを備えているため、レーザ加工ステップにおける第二の出力のレーザビーム32を保護膜8aに衝撃を与えることなくデバイスウェーハ1の表面2に直接照射でき、デバイス5へのデブリの付着を低減することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
表面の交差する複数の加工予定ラインによって区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウェーハの加工方法であって、 デバイスウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、 該保護膜被覆ステップを実施した後、第一の出力で該加工予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該加工予定ライン上の該保護膜を除去する除去ステップと、 該除去ステップを実施した後、該第一の出力よりも高い第二の出力で該加工予定ラインに沿ってデバイスウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームをデバイスウェーハの該表面側から該加工予定ラインに沿って照射しデバイスウェーハにレーザ加工を施すレーザ加工ステップと、を備えた加工方法。
IPC (5件)：
B23K 26/18 ,  B23K 26/16 ,  B23K 26/364 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/301
FI (6件)：
B23K26/18 ,  B23K26/16 ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 N ,  B23K26/00 H ,  H01L21/78 B
Fターム (26件)：
4E068AA05 ,  4E068AD01 ,  4E068AJ01 ,  4E068AJ04 ,  4E068CA01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA07 ,  4E068CA15 ,  4E068CF00 ,  4E068CG05 ,  4E068DA10 ,  5F063AA15 ,  5F063CB02 ,  5F063CB06 ,  5F063CB12 ,  5F063CB16 ,  5F063CB29 ,  5F063CC23 ,  5F063DD26 ,  5F063DD32 ,  5F063DD68 ,  5F063DF06 ,  5F063DF20 ,  5F063DF24 ,  5F063EE78 ,  5F063FF33
引用特許：
審査官引用 (9件)
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