特許
J-GLOBAL ID：201603010537680802

基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体

発明者：
金田 正利

金田 正利 について

, 
大石 雄三

大石 雄三 について

, 
吉田 圭佑

吉田 圭佑 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  瀧澤 宣明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-087675
公開番号（公開出願番号）：特開2016-027617
出願日： 2015年04月22日
公開日（公表日）： 2016年02月18日
要約：
【課題】基板に与える影響を抑えつつ、常圧雰囲気下で基板の表面に形成された被処理膜の一部を除去することが可能な基板処理方法などを提供する。【解決手段】酸素含有雰囲気下にて紫外線を照射することにより分解する被処理膜の原料を基板Wに塗布し、基板Wに塗布された原料を加熱して被処理膜を形成する。次いで、被処理膜が形成された基板Wを、気体の流速が10cm/秒以下である酸素含有雰囲気の処理室61内に配置し、当該基板Wに紫外線を照射して被処理膜の一部を除去する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
酸素含有雰囲気下にて紫外線を照射することにより分解する被処理膜の原料を基板に塗布する工程と、 前記基板に塗布された原料を加熱して被処理膜を形成する工程と、 前記被処理膜が形成された基板を、気体の流速が10cm/秒以下である酸素含有雰囲気の処理室内に配置し、当該基板に紫外線を照射して前記被処理膜の一部を除去する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/302 201A ,  H01L21/30 563 ,  H01L21/302 104H
Fターム (11件)：
5F004AA11 ,  5F004BB02 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA36 ,  5F146HA04 ,  5F146HA07
引用特許：
審査官引用 (12件)
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