特許
J-GLOBAL ID：201603019254695770
パワー半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
きさらぎ国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-110138
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239501
特許番号：特許第5921949号
出願日： 2012年05月12日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導体パターン(2UU1)と第2導体パターン(2UU2)と第3導体パターン(2UU3)とを第1の方向に並べて第1絶縁基板(2UU)の上面に形成すると共に、第1導体パターン(2UU1)を隔てて第2導体パターン(2UU2)の反対側に第3導体パターン(2UU3)を配置し、
第1絶縁基板(2UU)の下面と放熱部材(1)の上面とを接合し、
第1IGBTチップ(QUUa)が第1ダイオードチップ(FWDUUa)よりも第3導体パターン(2UU3)の近くに位置するように、第1IGBTチップ(QUUa)および第1ダイオードチップ(FWDUUa)を第1の方向に並べて第1導体パターン(2UU1)に搭載し、かつ、第1IGBTチップ(QUUa)のコレクタ電極と第1導体パターン(2UU1)とを接続すると共に、第1ダイオードチップ(FWDUUa)のカソード電極と第1導体パターン(2UU1)とを接続し、
横長矩形の断面形状を有し、かつ、第1の方向に延びている第1ワイヤ(3UU1a)によって、第1ダイオードチップ(FWDUUa)のアノード電極と第2導体パターン(2UU2)とを接続し、
第1ワイヤ(3UU1a)と同一の断面形状を有し、かつ、第1の方向に延びている第2ワイヤ(3UU2a)によって、第1IGBTチップ(QUUa)のエミッタ電極と第2導体パターン(2UU2)とを接続すると共に、第1ワイヤ(3UU1a)より小さい断面積を有し、かつ、第1の方向に延びている第3ワイヤ(3UU3a)によって、第1IGBTチップ(QUUa)のゲート電極と第3導体パターン(2UU3)とを接続し、
3相インバータ回路のU相(PU)の上アーム(PUU)の一部を構成する正極端子(P1)と第1導体パターン(2UU1)とを接続すると共に、3相インバータ回路のU相(PU)の上アーム(PUU)の一部を構成する第1交流端子(UU)と第2導体パターン(2UU2)とを接続し、かつ、3相インバータ回路のU相(PU)の上アーム(PUU)の一部を構成する第1ゲート電極端子(GUU)と第3導体パターン(2UU3)とを接続し、
樹脂(4)により、放熱部材(1)の一部と第1絶縁基板(2UU)と第1IGBTチップ(QUUa)と第1ダイオードチップ(FWDUUa)と第1ワイヤ(3UU1a)と第2ワイヤ(3UU2a)と第3ワイヤ(3UU3a)と正極端子(P1)の一部と第1交流端子(UU)の一部と第1ゲート電極端子(GUU)の一部とを樹脂封止したパワー半導体モジュール(100)において、
第1ワイヤ(3UU1a)の第2導体パターン(2UU2)側の端部を隔てて第1ダイオードチップ(FWDUUa)の反対側に、第2ワイヤ(3UU2a)の第2導体パターン(2UU2)側の端部を配置すると共に、第1ワイヤ(3UU1a)の上面の少なくとも一部と、第2ワイヤ(3UU2a)の下面の一部とを対向させ、
第2ワイヤ(3UU2a)の上面の少なくとも一部と、正極端子(P1)の下面の一部あるいは第1交流端子(UU)の下面の一部とを対向させ、
第1ダイオードチップ(FWDUUa)が発生した熱の一部が、第1ワイヤ(3UU1a)に伝熱され、次いで、第1ワイヤ(3UU1a)と第2ワイヤ(3UU2a)との間に位置する樹脂(4)に伝熱され、次いで、第2ワイヤ(3UU2a)に伝熱され、次いで、第2ワイヤ(3UU2a)と正極端子(P1)または第1交流端子(UU)との間に位置する樹脂(4)に伝熱され、次いで、正極端子(P1)または第1交流端子(UU)に伝熱されてパワー半導体モジュール(100)の外部に放熱され、
第1IGBTチップ(QUUa)が発生した熱の一部が、第2ワイヤ(3UU2a)に伝熱され、次いで、第2ワイヤ(3UU2a)と正極端子(P1)または第1交流端子(UU)との間に位置する樹脂(4)に伝熱され、次いで、正極端子(P1)または第1交流端子(UU)に伝熱されてパワー半導体モジュール(100)の外部に放熱されることを特徴とするパワー半導体モジュール(100)。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 23/473 ( 200 6.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
H01L 25/04 C
, H01L 23/46 Z
, H02M 7/48 Z
