特許
J-GLOBAL ID：201603019824974202
透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
萩原 康司
, 金本 哲男
, 亀谷 美明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-070579
公開番号（公開出願番号）：特開2013-205017
特許番号：特許第5862405号
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空に排気された試料室を有し、磁性を有する金属材料から透過電子顕微鏡用微小薄膜試料を作製する透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置であって、上記試料室内で薄膜試料を載置して移動可能な試料ステージと、上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射光学系と、上記試料ステージに載置された薄膜試料に電子ビームを照射する電子ビーム照射光学系と、上記集束イオンビームおよび電子ビームの照射によって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、上記二次電子検出器にて検出した二次電子強度から二次電子像を表示する画像表示装置と、上記薄膜試料の一部を集束イオンビームの照射から遮蔽するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブと、上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射して切り出した微小薄膜試料を移送するための第2の可動プローブと、上記微小薄膜試料を切り出す際に上記第2の可動プローブと上記微小薄膜試料を固着するための原料ガスを供給するガスデポジション機構と、を備える透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置を用いた透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法であって、
予め電解研磨を施した薄膜試料を上記試料ステージに載置し、該薄膜試料に電子ビームを照射して二次電子像にて該薄膜試料を観察する薄膜試料載置工程と、
上記薄膜試料載置工程にて該薄膜試料を観察しながら、該薄膜試料の一部を遮蔽し集束イオンビームの照射から回避するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブを、微小薄膜試料の切り出し箇所の上方に移動させる第1の薄膜部材移動工程と、
上記薄膜部材を含み上記薄膜試料の一部の領域に上記集束イオンビームを照射して上記薄膜試料の一部の領域を二次電子像にて観察し、微小薄膜試料の切り出し位置を設定し、上記集束イオンビームを照射して上記薄膜試料に切り込みを入れる切り込み加工工程と、
上記電子ビーム、または上記集束イオンビームを照射して、上記切り出し位置を二次電子像にて観察し、上記切り出し位置の一部に第2の可動プローブの先端をあてがい、上記集束イオンビームを照射して、上記切り出し位置と上記第2の可動プローブとの接触部分をデポジション膜により固着させる可動プローブ固着加工工程と、
上記切り出し位置に上記集束イオンビームを照射して微小薄膜試料を切り出す微小薄膜試料切り出し加工工程と、
上記切り出した微小薄膜試料を第2の可動プローブを用いて摘出し移送する摘出工程と、
上記微小薄膜試料を支持する支持体を試料ステージに載置する支持体載置工程と、
上記電子ビームを照射して、上記微小薄膜試料と上記支持体を二次電子像にて観察しながら、上記微小薄膜試料を上記支持体に移設する移設工程と、
上記電子ビームを照射して、上記支持体に移設した微小薄膜試料と上記支持体を二次電子像にて観察しながら、上記薄膜部材を備えた第1の可動プローブを上記微小薄膜試料の上方に移動させる第2の薄膜部材移動工程と、
上記集束イオンビームを照射し、上記支持体に移設した微小薄膜試料と上記支持体との接触部分を二次電子像にて観察して、デポジション膜により上記微小薄膜試料と上記支持体とを固着させる固着工程と、
上記集束イオンビームを照射して上記支持体に固着した上記微小薄膜試料から上記第2の可動プローブを切除する切除工程と、
を有することを特徴とする透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G01N 1/28 F
, G01N 1/28 N
, G01N 1/28 G
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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