特許
J-GLOBAL ID：201603019947595443
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-003037
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143483
特許番号：特許第5927916号
出願日： 2012年01月11日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上に、第1領域と第2領域を有する複数の半導体層を形成する工程と、
前記第2領域に選択エッチング層を形成する工程と、
前記第1領域に回折格子を形成しつつ、前記第2領域に前記選択エッチング層を貫通するへき開溝を前記回折格子と平行に形成する工程と、
前記回折格子と前記へき開溝を埋める上クラッド層を形成する工程と、
前記上クラッド層の上に、前記へき開溝の幅よりも幅が広い開口を前記へき開溝の直上に有する絶縁膜を形成する工程と、
前記選択エッチング層に対して、前記開口に露出した前記上クラッド層と、前記へき開溝を埋める前記上クラッド層と、前記へき開溝の底部に露出した前記複数の半導体層を選択エッチングする工程と、
前記選択エッチングする工程の後に、前記へき開溝に沿って前記基板をへき開する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (13件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
