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J-GLOBAL ID：201702236495413572   整理番号：17A0717954

AlON/AlGaN/GaN金属酸化物半導体構造におけるAlベースのゲート絶縁膜への窒素混入の影響

Effect of nitrogen incorporation into Al-based gate insulators in AlON/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures

著者 (11件)： ASAHARA Ryohei (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOZAKI Mikito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMADA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ITO Joyo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAZAWA Satoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 10  ページ： 101002.1-101002.4  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱安定性,信頼性,および界面品質の観点から,AlGaN/GaN基板上のアルミニウムオキシナイトライド(AlON)ゲート誘電体の優れた物理的および電気的特性を,直接AlON堆積およびその後のアニールによって実証した。アルミナへの窒素の取り込みは,絶縁体/AlGaN界面での混合を抑制し,Al₂O₃膜の電気的欠陥の数を減らすためにも有益であることが分かった。その結果,電荷注入に対する安定性が改善され,界面準位密度が1.2×1016cm^-2eV^-1と低い高品質のAlON/AlGaN/GaN金属酸化物半導体キャパシタを達成した。絶縁体への窒素取り込みの影響を実験結果に基づいて議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  ゲート【半導体】 ,  *MOS構造 ,  キャリア注入 ,  表面準位 ,  状態密度 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： 界面準位 ,  *酸化窒化アルミニウム ,  準位密度 ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  電荷注入

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (20件)：

• M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
• X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
• M. Fagerlind, F. Allerstam, E. Ö. Sveinbjörnsson, N. Rorsman, A. Kakanakova-Georgieva, A. Lundskog, U. Forsberg, and E. Janzén, J. Appl. Phys. 108, 014508 (2010).
• T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003).
• P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Haider, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  金属酸化物半導体 ,  Al ,  ゲート絶縁膜 ,  窒素 ,  混入