ASAHARA Ryohei について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
NOZAKI Mikito について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
YAMADA Takahiro について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
ITO Joyo について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
NAKAZAWA Satoshi について
Panasonic Corp., Kyoto, JPN について
ISHIDA Masahiro について
Panasonic Corp., Kyoto, JPN について
UEDA Tetsuzo について
Panasonic Corp., Kyoto, JPN について
YOSHIGOE Akitaka について
Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN について
HOSOI Takuji について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
SHIMURA Takayoshi について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
WATANABE Heiji について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
Applied Physics Express について
誘電体薄膜 について
酸化物 について
窒化物 について
アルミニウム化合物 について
ガリウム化合物 について
窒化ガリウム について
ゲート【半導体】 について
MOS構造 について
キャリア注入 について
表面準位 について
状態密度 について
コンデンサ について
界面準位 について
酸化窒化アルミニウム について
準位密度 について
窒化ガリウムアルミニウム について
電荷注入 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
AlGaN について
GaN について
金属酸化物半導体 について
Al について
ゲート絶縁膜 について
窒素 について
混入 について