薄膜トランジスタ回路基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-174858
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213508
出願日： 2016年09月07日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トップゲート型薄膜トランジスタと、前記トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とは異なるゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを含み、前記トップゲート型薄膜トランジスタのゲート電極と前記薄膜トランジスタの遮光層が同じ導電層であり、前記薄膜トランジスタの遮光層は、前記薄膜トランジスタのソース-ドレイン領域と膜厚方向に重ならないことを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 619B , H01L29/78 612B , H01L29/78 617S , H01L27/08 102C , H01L27/08 102A , H01L27/08 331E , G02F1/136

Fターム (52件)：

2H192AA24 , 2H192CB02 , 2H192CB05 , 2H192CB13 , 2H192CB34 , 2H192CB53 , 2H192CB81 , 2H192DA44 , 2H192EA13 , 2H192EA74 , 2H192EA76 , 2H192FB01 , 2H192HA82 , 2H192HA84 , 5F048AB10 , 5F048BA16 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BC06 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-072407 出願人：シャープ株式会社
画像表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-206080 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ、表示素子および投射型表示装置ならびに表示素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-212768 出願人：シャープ株式会社

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