特許
J-GLOBAL ID:201703006230774842
半導体レーザ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-096821
公開番号(公開出願番号):特開2017-204601
出願日: 2016年05月13日
公開日(公表日): 2017年11月16日
要約:
【課題】DRレーザにおける安定な単一モード発振が、容易に実現できるようにする。【解決手段】分布帰還活性領域131と、分布帰還活性領域131に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域132とを備える。分布帰還活性領域131の活性層103に分布ブラッグ反射鏡領域132のコア層113とが連続して形成されている。分布帰還活性領域131のブラッグ波長が、中央部分から両端部分にかけて増大または減少している。【選択図】 図1A
請求項(抜粋):
基板の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された第1回折格子と、
前記活性層に接して形成されたp型半導体層およびn型半導体層と、
前記n型半導体層に接続するn型電極と、
前記p型半導体層に接続するp型電極と
を有する分布帰還活性領域と、
前記活性層に連続して形成されたコア層と、
前記コア層の上に形成された第2回折格子と
を有して前記分布帰還活性領域に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域と
を備え、
前記分布帰還活性領域のブラッグ波長は、中央部分から両端部分にかけて増大または減少していることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
5F173AA26
, 5F173AA47
, 5F173AB23
, 5F173AH12
, 5F173AL03
, 5F173AL07
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR04
引用特許:
出願人引用 (17件)
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特開平3-110884
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特開平1-239892
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特開昭63-269592
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-242281
出願人:日本電気株式会社
-
分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-063083
出願人:日本電気株式会社
-
特開昭61-125187
-
特開昭62-106689
-
半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-176210
出願人:富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社
-
半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-153338
出願人:富士通株式会社
-
半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-101072
出願人:富士通株式会社
-
半導体レーザ及び半導体光集積素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-229425
出願人:富士通株式会社
-
分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-321477
出願人:日本電気株式会社
-
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-241169
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-299390
-
半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2016-096820
出願人:日本電信電話株式会社
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特許第6510391号
-
特許第6483521号
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審査官引用 (14件)
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特開平3-110884
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特開平1-239892
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特開昭63-269592
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-242281
出願人:日本電気株式会社
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-063083
出願人:日本電気株式会社
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特開昭61-125187
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特開昭62-106689
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-176210
出願人:富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-153338
出願人:富士通株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-101072
出願人:富士通株式会社
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半導体レーザ及び半導体光集積素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-229425
出願人:富士通株式会社
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-321477
出願人:日本電気株式会社
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半導体レーザおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-241169
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-299390
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引用文献:
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