特許
J-GLOBAL ID：201703018944344076

半導体レーザ

発明者：
硴塚 孝明

硴塚 孝明 について

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西 英隆

西 英隆 について

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松尾 慎治

松尾 慎治 について

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藤井 拓郎

藤井 拓郎 について

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武田 浩司

武田 浩司 について

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長谷部 浩一

長谷部 浩一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-096820
公開番号（公開出願番号）：特開2017-204600
出願日： 2016年05月13日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
要約：
【課題】DRレーザにおける安定な単一モード発振が、容易に実現できるようにする。【解決手段】分布帰還活性領域131と、分布帰還活性領域131に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域132とを備える。分布帰還活性領域131の活性層103に分布ブラッグ反射鏡領域132のコア層113とが連続して形成されている。活性層103の上に形成された第1回折格子121の結合係数は、分布帰還活性領域131の中央部分から両端部分にかけて増大している。【選択図】 図1A
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された活性層と、 前記活性層の上に形成された第1回折格子と、 前記活性層に接して形成されたp型半導体層およびn型半導体層と、 前記n型半導体層に接続するn型電極と、 前記p型半導体層に接続するp型電極と を有する分布帰還活性領域と、 前記活性層に連続して形成されたコア層と、 前記コア層の上に形成された第2回折格子と を有して前記分布帰還活性領域に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域と を備え、 前記第1回折格子の結合係数は、分布帰還活性領域の中央部分から両端部分にかけて増大している ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/125 ,  H01S 5/12
FI (2件)：
H01S5/125 ,  H01S5/12
Fターム (11件)：
5F173AA26 ,  5F173AA40 ,  5F173AB03 ,  5F173AB13 ,  5F173AB24 ,  5F173AF52 ,  5F173AH14 ,  5F173AK22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP16 ,  5F173AR04
引用特許：
出願人引用 (17件)
  • 特開平3-110884
  • 特開平1-239892
  • 特開昭63-269592
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審査官引用 (14件)
  • 特開平3-110884
  • 特開平1-239892
  • 特開昭63-269592
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引用文献：
出願人引用 (6件)
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