特許
J-GLOBAL ID：201703008283240311

半導体基材の処理のための組成物

発明者：
ウォーカー,エリザベス

ウォーカー,エリザベス について

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ナフシネー,シャーリ

ナフシネー,シャーリ について

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バーンズ,ジェフリー,エー

バーンズ,ジェフリー,エー について

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オルダック,エワ

オルダック,エワ について

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ピータース,ダリル,ダブリュー

ピータース,ダリル,ダブリュー について

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ヤンダース,ケビン,ピー

ヤンダース,ケビン,ピー について


出願人/特許権者：
アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド

アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118680
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178339
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：
【課題】銅メタライズド基材のための洗浄配合物、ポスト化学的物理的研磨洗浄のための有用な組成物等の特性を改善する。【解決手段】超小型電子装置前駆体構造物等のウェハ基材の表面調製および/または洗浄のための、超小型電子装置製造に有用な組成物。本組成物は、例えば、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄およびポスト化学的機械的研磨洗浄等の操作において、銅メタライゼーションを含めるために更に処理されなければならないウェハ、または更に処理することが意図されているウェハの処理のために、用いることが可能である。本組成物は(i)アルカノールアミンと(ii)水酸化4級アンモニウムと(iii)錯化剤とを含有し、酸素曝露下において耐黒ずみ性および耐劣化性を呈するだけでなく、貯蔵安定である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(i)アルカノールアミンと(ii)水酸化4級アンモニウムと(iii)錯化剤とを含む組成物であって、 前記錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記錯化剤が酢酸、アセトンオキシム、アラニン、5-アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ベンゾトリアゾール(BTA)、ベタイン、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセロール、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、2-メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、2,4-ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、テレフタル酸、1,2,4-トリアゾール、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトールおよび前述したアミノ酸の誘導体からなる群から選択された少なくとも1つの成分を含む、 組成物。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/34
FI (6件)：
H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647Z ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  H01L21/304 622Q
Fターム (37件)：
4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC01 ,  4H003EB07 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003ED02 ,  4H003FA07 ,  4H003FA28 ,  5F057AA21 ,  5F057BA15 ,  5F057BB23 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057DA38 ,  5F057EC30 ,  5F157AA35 ,  5F157AA70 ,  5F157AA73 ,  5F157AA96 ,  5F157AC01 ,  5F157BC03 ,  5F157BC05 ,  5F157BC07 ,  5F157BC53 ,  5F157BD03 ,  5F157BE12 ,  5F157BF12 ,  5F157BF22 ,  5F157BF36 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157DA21 ,  5F157DB03 ,  5F157DB57
引用特許：
審査官引用 (13件)
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