特許
J-GLOBAL ID：201703012187547004

半導体装置

発明者：
内藤 達也

内藤 達也 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-224025
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147435
出願日： 2016年11月17日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：
【課題】RC-IGBT構造を有する半導体装置であって、FWD(Free Wheel Diode)領域とIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)領域とを備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板に形成されたトランジスタ部と、半導体基板に形成され、半導体基板のおもて面側にライフタイムキラーを有するダイオード部と、トランジスタ部とダイオード部との間に設けられ、トランジスタ部のゲートと電気的に接続されたゲートランナとを備える半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成されたトランジスタ部と、 前記半導体基板に形成され、前記半導体基板のおもて面側にライフタイムキラーを有するダイオード部と、 前記トランジスタ部と前記ダイオード部との間に設けられ、前記トランジスタ部のゲートと電気的に接続されたゲートランナと を備える半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06
FI (13件)：
H01L29/78 658H ,  H01L29/78 657F ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 657C ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652C ,  H01L27/06 102A
Fターム (7件)：
5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA11 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-295255   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160056   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-086148   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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