特許
J-GLOBAL ID：201703015767970353
電子写真感光体およびその製造方法ならびに電子写真装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033648
公開番号（公開出願番号）：特開2014-164042
特許番号：特許第6128885号
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体において、
前記表面層が、ケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が前記光導電層側から前記電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を有し、
前記変化領域が、第13族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、前記上部電荷注入阻止部分よりも前記電子写真感光体の表面側に位置し、第13族原子を含有しない表面側部分とを有し、
前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第13族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Aで評価したとき、下記式(A7)で示される関係を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
[第13族原子の分布の急峻性の評価方法A]
(A1)前記電子写真感光体の表面からSIMS分析によってデプスプロファイルを得る。
(A2)前記デプスプロファイルにおいて、前記電子写真感光体の表面からの距離をDとし、距離Dにおける第13族原子のイオン強度を距離Dの関数f(D)で表し、f(D)の最大値をf(DMAX)で表し、f(D)の二階微分をf”(D)で表し、前記光導電層に向かってDを増加させていき、f”(D)=0からf”(D)<0になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をDAとし、その後にf”(D)<0からf”(D)=0になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をDBとする。
(A3)f((DA+DB)/2)≧f(DMAX)×0.5を満たす距離Dのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をDSとし、距離DSにおける第13族原子のイオン強度f(D)を基準イオン強度f(DS)とする。
(A4)前記基準イオン強度f(DS)を100%としたとき、前記電子写真感光体の表面から見て、前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第13族原子のイオン強度が16%から84%となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔZとする。
(A5)前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜A1と前記表面側部分に対応する組成を有する膜A2とをこの順に積層してなる基準積層膜Aを作製する。
(A6)前記基準積層膜Aに対して、前記膜A2の表面を前記基準積層膜Aの表面とし、前記(A1)〜(A4)と同様の方法で、前記基準積層膜Aの前記膜A2と前記膜A1との境界部における急峻性ΔZ0を求める。
(A7)1.0≦ΔZ/ΔZ0≦3.0 ・・・ (A7)
IPC (1件)：
FI (7件)：
G03G 5/08 303
, G03G 5/08 306
, G03G 5/08 311
, G03G 5/08 336
, G03G 5/08 335
, G03G 5/08 360
, G03G 5/08 332
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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