特許
J-GLOBAL ID：201703018425513243

撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ

発明者：
庄山 敏弘

庄山 敏弘 について

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▲高▼草木 弘

▲高▼草木 弘 について

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山▲崎▼ 康生

山▲崎▼ 康生 について

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石野 英明

石野 英明 について

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小川 俊之

小川 俊之 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  大塚 康弘 ,  高柳 司郎 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-054470
公開番号（公開出願番号）：特開2017-076772
出願日： 2016年03月17日
公開日（公表日）： 2017年04月20日
要約：
【課題】残像の発生を抑えるために有利な技術を提供する。【解決手段】撮像装置の製造方法は、酸素濃度が2×1016atoms/cm3以上4×1017atoms/cm3以下の範囲内である単結晶シリコンからなる第1半導体領域を有するウエハと、前記第1半導体領域の上に配置され、酸素濃度が前記第1半導体領域よりも低い単結晶シリコンからなる第2半導体領域を有するシリコン層と、を含む基板を準備する工程と、酸素を含有する雰囲気中で前記基板を熱処理し、前記第2半導体領域の酸素濃度を2×1016atoms/cm3以上4×1017atoms/cm3以下の範囲内にする工程と、前記熱処理の後に、前記第2半導体領域の中に、光電変換素子を形成する工程とを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
酸素濃度が2×1016atoms/cm3以上4×1017atoms/cm3以下の範囲内である単結晶シリコンからなる第1半導体領域を有するウエハと、前記ウエハの上に配置され、酸素濃度が前記第1半導体領域よりも低い単結晶シリコンからなる第2半導体領域を有するシリコン層と、を含む基板を準備する工程と、 酸素を含有する雰囲気中で前記基板を熱処理し、前記第2半導体領域の酸素濃度を2×1016atoms/cm3以上4×1017atoms/cm3以下の範囲内にする工程と、 前記熱処理の後に、前記第2半導体領域の中に、光電変換素子を形成する工程と、 を含むことを特徴とする撮像装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088 ,  H04N 5/369
FI (7件)：
H01L27/14 A ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/08 102D ,  H04N5/335 690
Fターム (64件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA34 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA08 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CX17 ,  5C024CY47 ,  5C024EX42 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX55 ,  5C024HX60 ,  5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032CA21 ,  5F032DA22 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BA06 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BF01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK14 ,  5F140BK34 ,  5F140CB00 ,  5F140CB01 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (25件)
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