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J-GLOBAL ID：201802284081480023   整理番号：18A1183469

横方向に振動する伸長モードを持つシリコン5MHz p-nダイオードアクチュエータの評価

Evaluation of a silicon 5 MHz p-n diode actuator with a laterally vibrating extensional mode

著者 (5件)： MIYAZAKI Fumito (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  BABA Kazuki (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  FURUTSUKA Takashi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 5  ページ： 057201.1-057201.11  発行年： 2018年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,空乏層に誘起された力により横方向に駆動されるp-nダイオードアクチュエータについて述べた。以前に報告したp-nダイオードアクチュエータを垂直に駆動した。共振周波数は振動板の厚さに依存するので,チップ上の異なる周波数を持つ共振器の集積は困難である。本研究における共振器は長さ-伸長振動を用いて横方向に駆動された。p-nダイオードアクチュエータが,空乏層の広がりにより誘起される力により駆動される,解析的表現に基づくコンパクトなモデルを開発した。p-nダイオードアクチュエータにより発生した偏向は,p-n接合の位置だけでなく,共振器厚さに対する空乏層幅の比に比例した。シリコン-オン-インシュレータ(SOI)基板を用いて作製した,シリコンp-nダイオード矩形板アクチュエータに対する測定値を比較することにより,実験結果と理論との良好な一致を確認した。アクチュエータの変位振幅はDCバイアスに比例したが,共振周波数はDCバイアスに依存しなかった。後者の特性は広く使われている静電アクチュエータとは非常に異なっていた。本研究で測定したアクチュエータの振幅は非常に小さいが,p-nダイオードアクチュエータのドーピングを増加させることにより振幅が大きく増加することが期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *PN接合 ,  *ダイオード ,  *ケイ素 ,  *アクチュエータ ,  横振動 ,  *共振周波数 ,  空乏層 ,  表現 ,  プリント基板 ,  ドーピング ,  振幅
準シソーラス用語： 横方向振動 ,  解析的表現 ,  SOI基板

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

引用文献 (26件)：

• M. Rinaldi, C. Zuo, J. V. Spiegel, and G. Piazza, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1281 (2011).
• K. Hashimoto, K. Ito, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 067201 (2011).
• D. Galayko, A. Kaiser, L. Buchaillot, B. Legrand, D. Collard, and C. Combi, J. Micromech. Microeng. 13, 134 (2003).
• T. Oka, T. Ishino, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 06GH02 (2011).
• T. Okamoto, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 06FL06 (2012).

タイトルに関連する用語 (5件)： 横方向 ,  シリコン ,  ダイオード ,  アクチュエータ ,  評価