特許
J-GLOBAL ID：201803005241592542
ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小野 新次郎
, 小林 泰
, 竹内 茂雄
, 山本 修
, 大牧 綾子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-148508
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238861
特許番号：特許第6227231号
出願日： 2012年07月02日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ワイドバンドギャップ高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって、
少なくとも2つのダイアモンド層を含むダイアモンド基板であって、前記少なくとも2つのダイアモンド層のうち第1のダイアモンド層は、第1の熱伝導率を有し、HEMTにヒートシンクを提供し、前記少なくとも2つのダイアモンド層のうち第2のダイアモンド層はHEMTに機械的安定性を提供するよう構成される、ダイアモンド基板と、
前記ダイアモンド基板上にあり、前記第1の熱伝導率よりも低い第2の熱伝導率を有する単結晶炭化珪素層と、
前記単結晶炭化珪素層上にあり、非ドープ窒化ガリウム層からなる第1の第III族窒化物層と、
前記第1の第III族窒化物層上にあり、前記第1の第III族窒化物層との間でヘテロ接合を形成する第2の第III族窒化物層であって、該第2の第III族窒化物層は、第1の非ドープ窒化アルミニウム・ガリウム層と、前記第1の非ドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上のドープされた窒化アルミニウム・ガリウム層と、前記ドープされた窒化アルミニウム・ガリウム層上の第2の非ドープ窒化アルミニウム・ガリウム層からなり、前記第1の非ドープ窒化アルミニウム・ガリウム層は、前記非ドープ窒化ガリウム層に隣接している、第2の第III族窒化物層と、
前記第2の第III族窒化物層上のソース・コンタクト、ゲート・コンタクト、及びドレイン・コンタクトと
を備えていることを特徴とするワイドバンドギャップ高電子移動度トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 21/20
, H01L 21/205
