特許
J-GLOBAL ID：201803013431210371
少なくとも1つのパワー半導体コンポーネント用の基板を備えて構成されるパワー半導体モジュールの製造方法、及び少なくとも1つのパワー半導体コンポーネント用の基板を作製するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤田 アキラ
, 今井 秀樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053068
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214738
特許番号：特許第6283469号
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも1つのパワー半導体コンポーネント(10a、10b)用の、第1及び第2の金属化層(2a、2b)を有する基板(7、7’、7”)を作製するための方法であって、
a)非導電性の絶縁材料本体(1)をもたらすステップと、
b)前記絶縁材料本体(1)の第1の側面(15a)に、導体トラックに従って具体化された構造を有する第1の金属化層(2a)を適用し、前記絶縁材料本体(1)の前記第1の側面(15a)の反対側に配置されている第2の側面(15b)に第2の金属化層(2b)を適用するステップと、
c)カットアウト(13)を有する非導電性のレジスト層(3)を前記第2の金属化層(2b)に適用するステップと、
d)前記第1の金属化層(2a)に第1の金属層(5)を電気分解によって析出し、前記レジスト層(3)が前記カットアウト(13)を有する位置で、前記第2の金属化層(2b)に隆起部(6、6’)を電気分解によって析出するステップと、
を有する方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/473 ( 200 6.01)
, H01L 23/36 ( 200 6.01)
H01L 23/12 J
, H01L 23/46 Z
, H01L 23/36 Z
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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