特許
J-GLOBAL ID：201803018849362706

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-261025
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138196
特許番号：特許第6239227号
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地絶縁膜と、 前記下地絶縁膜中に埋め込まれ、かつ、上面の少なくとも一部が前記下地絶縁膜から露出したゲート電極と、 少なくとも前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極と重畳せず、前記ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、 少なくとも前記ゲート電極と重畳し、少なくとも一部が前記ソース電極および前記ドレイン電極と接し、前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、 前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記酸化物半導体膜上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられ、膜密度が3.2g/cm3以上の酸化アルミニウム膜と、を有し、 前記酸化物半導体膜の上面と前記ソース電極および前記ドレイン電極の上面との高さが揃う半導体装置。
IPC (16件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 201 7.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01)
FI (19件)：
H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/108 321 ,  H01L 27/105 441 ,  H01L 27/108 615 ,  H01L 27/108 671 C ,  H01L 27/108 671 Z ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/088 331 E ,  H01L 27/088 E ,  H01L 29/78 616 M
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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