特許
J-GLOBAL ID：201103093562435079

導電性III族窒化物結晶の製造方法、導電性III族窒化物基板の製造方法及び導電性III族窒化物基板

発明者：
吉田 丈洋

吉田 丈洋 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-011123
公開番号（公開出願番号）：特開2011-148655
出願日： 2010年01月21日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとNH3ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に450μm/hourよりも大きく2mm/hour以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてGeCl4を用いることによりIII族窒化物結晶中にGeをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が1×10-3Ωcm以上1×10-2Ωcm以下となるようにする。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
III族のハロゲン化物ガスとNH3ガスとを用いることにより、気相成長法により下地 基板上に、450μm/hourよりも大きく2mm/hour以下の成長速度でIII族 窒化物結晶を成長させる導電性III族窒化物結晶の製造方法であって、 前記III族窒化物結晶中にドーピング原料としてGeCl4を用いることによりGeを ドーピングして、前記III族窒化物結晶の比抵抗が1×10-3Ωcm以上1×10-2 Ωcm以下となるようにした導電性III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205
Fターム (48件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FG11 ,  4G077FG20 ,  4G077FJ03 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB03 ,  4G077TC02 ,  4G077TC10 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DP01 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EK06 ,  5F045GH08
引用特許：
審査官引用 (11件)
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