特許
J-GLOBAL ID：202003009873547651
半導体装置とその製造方法および光電変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
棚井 澄雄
, 飯田 雅人
, 清水 雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-164916
公開番号（公開出願番号）：特開2020-038890
出願日： 2018年09月03日
公開日（公表日）： 2020年03月12日
要約：
【課題】基材の大きさによらず、低コストで形成することが可能であり、かつ光電変換装置に適用可能な品質を有する半導体膜を備えた、半導体装置とその製造方法および光電変換装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置100は、非晶質の基材101と、基材の一面101aに形成され、Geを主成分とする第一結晶粒子102Aを複数含む下地層102と、下地層102の上に形成され、第一結晶粒子102Aの-2%以上2%以下の格子定数を有する第二結晶粒子103Aを複数含む機能層103と、を備え、前記第二結晶粒子の平均粒径が1μm以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
非晶質の基材と、
前記基材の一面に形成され、Geを主成分とする第一結晶粒子を複数含む下地層と、
前記下地層の上に形成され、前記第一結晶粒子の-2%以上2%以下の格子定数を有する第二結晶粒子を複数含む機能層と、を備え、
前記第二結晶粒子の平均粒径が1μm以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F849AA02
, 5F849AB07
, 5F849BA28
, 5F849CB01
, 5F849CB03
, 5F849CB06
, 5F849CB07
, 5F849CB11
, 5F849CB14
, 5F849DA28
, 5F849FA04
, 5F849GA02
, 5F849XB08
, 5F849XB18
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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引用文献：
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