特許
J-GLOBAL ID：202103004162327905

半導体装置

発明者：
内藤 達也

内藤 達也 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-224025
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147435
特許番号：特許第6878848号
出願日： 2016年11月17日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板に形成されたトランジスタ部と、 前記半導体基板に形成され、前記半導体基板のおもて面側にライフタイムキラーを有するダイオード部と、 前記トランジスタ部と前記ダイオード部との間に設けられ、前記トランジスタ部のゲートと電気的に接続されたゲートランナと、 前記半導体基板のおもて面に形成された第1導電型のエミッタ領域と、 前記半導体基板のおもて面に形成された、前記第1導電型と異なる第2導電型のベース領域と、 前記半導体基板のおもて面側に形成され、前記半導体基板の不純物濃度よりも高濃度である前記第1導電型の蓄積層と、 前記半導体基板のおもて面上に形成された層間絶縁膜と を備え、 前記層間絶縁膜には、前記エミッタ領域および前記ベース領域の少なくとも一部の領域に対応して、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールが形成され、 前記蓄積層は、前記トランジスタ部が有するトレンチ部の延伸方向において、前記コンタクトホールが形成された領域の内側に形成されている半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01)
FI (13件)：
H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/78 657 C ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 655 D ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 27/06 102 A
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-295255   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160056   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-086148   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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審査官引用 (11件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-295255   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160056   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-086148   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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