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J-GLOBAL ID:200903000571957600
レーザアニール装置及びTFT基板のレーザアニール方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002259521
Publication number (International publication number):2004103628
Application date: Sep. 05, 2002
Publication date: Apr. 02, 2004
Summary:
【課題】簡単な光学系で連続発振レーザ光を線状に成形し、レーザを照射すべき領域のみに正確に照射して、シリコン膜及び基板に熱的なダメージを与えることなく実質的に単結晶と同等の多結晶シリコン膜を得る。【解決手段】プリズムでレーザ光を2分割して偏向させ、分割された各レーザ光の偏光方向を直交させて重ねて、偏向方向に対しては均一なエネルギ分布とし、それと直交する方向にはシリンドリカルレンズで集光する、あるいはパウエルレンズとシリンドリカルレンズの組み合わせで線状のビームを形成する。このビームを、レーザ照射を必要とする複数の領域に、ステージが停止することなく連続して走査しながら照射してアニールを行うことにより、レーザを照射した領域のみに実質的に単結晶と同等の特性を有する多結晶シリコン膜が形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板を載置して移動可能なステージ手段と、上記ステージの位置を検出する位置検出手段と、空間分布が円形でガウス形の分布を有する連続発振レーザ光を発生するレーザ光源手段と、前記レーザ光源手段から発生した連続発振レーザ光のON/OFF(通過/非通過)を行う変調手段と、上記変調手段を通過した上記連続発振レーザ光を長手方向には均一で、幅方向にはガウス形の分布を有する線状あるいは帯状に成形する成形光学手段と、上記線状あるいは帯状に成形されたレーザ光を前記基板上に照射する照射光学手段と、上記ステージ手段および変調手段を制御する制御手段とを有し、上記位置検出手段で検出された位置が予め設定された位置と一致した時点で上記制御手段で上記変調手段をレーザ光通過状態とすることで、上記ステージ手段を連続的に移動させながら任意の領域に連続発振レーザ光を照射することを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (4):
H01L21/268
, H01L21/20
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (3):
H01L21/268 J
, H01L21/20
, H01L29/78 627G
F-Term (35):
5F052AA02
, 5F052BA07
, 5F052BA12
, 5F052BA18
, 5F052BB01
, 5F052BB02
, 5F052BB07
, 5F052CA07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052EA12
, 5F052JA01
, 5F110AA01
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110HJ15
, 5F110HJ23
, 5F110NN02
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP23
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP36
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (24)
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多結晶半導体薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-341672
Applicant:シャープ株式会社
-
薄膜半導体装置、多結晶半導体薄膜製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-019570
Applicant:株式会社日立製作所
-
レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-037705
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
特開昭60-126840
-
ビームホモジナイザーおよびレーザー照射装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-052833
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
特開平1-202388
-
特開平3-042819
-
表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-024980
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体装置、液晶表示装置、EL表示装置、半導体薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-221823
Applicant:松下電器産業株式会社
-
特開平1-202388
-
特開平3-042819
-
特開昭60-126840
-
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-253189
Applicant:株式会社東芝
-
半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-084775
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-344069
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
レーザアニール方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-005579
Applicant:石川島播磨重工業株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
-
配線修正方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-032136
Applicant:株式会社日立製作所
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ビーム拡大用レンズ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-049721
Applicant:カナダ国
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表示装置とその製造方法および製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-062938
Applicant:株式会社日立ディスプレイズ
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レーザー照射方法およびレーザー照射装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-046992
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
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特開昭59-019332
-
特開昭59-019332
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レーザアニーリング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-285471
Applicant:三菱電機株式会社
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特開昭60-126840
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