Pat
J-GLOBAL ID：200903001354339953

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
上田 哲三

About 上田 哲三


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007096086
Publication number (International publication number)：2007184644
Application date： Apr. 02, 2007
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：
【課題】III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置を、活性領域の露出面にダメージを与えることなく、電流狭窄部を形成できるようにする。【解決手段】n型のIII-V族窒化物半導体からなる第1半導体層11と、p型のIII-V族窒化物半導体からなる第2半導体層13との間に、III-V族窒化物半導体からなる発光層12が形成されている。第2半導体層13における両側部には、発光層12が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおいた酸化領域13aが、該第2半導体層13自体が酸化されて形成されている。第2半導体層13の上には酸化領域13aを含む全面にp側電極14が形成されており、第1半導体層11における第2半導体層13の反対側の面上にはn側電極15が形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
活性領域を含む第1導電型の第1半導体層及び第2導電型の第2半導体層を備え、 前記第1半導体層及び第2半導体層のうちの少なくとも一方は、前記活性領域が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおき、且つ前記第1半導体層又は第2半導体層自体が酸化されてなる酸化領域を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/22
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01S5/22
F-Term (22)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F173AA17 ,  5F173AA21 ,  5F173AF96 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AK22 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AP67 ,  5F173AR23 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (18)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM