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J-GLOBAL ID:200903001354339953
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (11):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007096086
Publication number (International publication number):2007184644
Application date: Apr. 02, 2007
Publication date: Jul. 19, 2007
Summary:
【課題】III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置を、活性領域の露出面にダメージを与えることなく、電流狭窄部を形成できるようにする。【解決手段】n型のIII-V族窒化物半導体からなる第1半導体層11と、p型のIII-V族窒化物半導体からなる第2半導体層13との間に、III-V族窒化物半導体からなる発光層12が形成されている。第2半導体層13における両側部には、発光層12が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおいた酸化領域13aが、該第2半導体層13自体が酸化されて形成されている。第2半導体層13の上には酸化領域13aを含む全面にp側電極14が形成されており、第1半導体層11における第2半導体層13の反対側の面上にはn側電極15が形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
活性領域を含む第1導電型の第1半導体層及び第2導電型の第2半導体層を備え、
前記第1半導体層及び第2半導体層のうちの少なくとも一方は、前記活性領域が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおき、且つ前記第1半導体層又は第2半導体層自体が酸化されてなる酸化領域を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (22):
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F173AA17
, 5F173AA21
, 5F173AF96
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AK22
, 5F173AP04
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP33
, 5F173AP62
, 5F173AP67
, 5F173AR23
, 5F173AR82
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (18)
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-189930
Applicant:株式会社東芝
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半導体発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-021882
Applicant:古河電気工業株式会社
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特開平1-115186
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特開平1-115186
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化合物半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-074779
Applicant:シャープ株式会社
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-114571
Applicant:株式会社日立製作所
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窒化物半導体発光素子およびその製造方法
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Application number:特願平9-159341
Applicant:日亜化学工業株式会社
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Application number:特願2000-274263
Applicant:キヤノン株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-274044
Applicant:松下電器産業株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-148470
Applicant:日亜化学工業株式会社
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2つの材料層を相互に分離する方法及びこの方法により製造された電子部品
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-516150
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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半導体の製造方法
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Application number:特願平11-299641
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平1-115186
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半導体レーザーダイオードの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-243648
Applicant:三星電機株式会社
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高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-123340
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-262712
Applicant:松下電器産業株式会社
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III族窒化物半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-265854
Applicant:日本電気株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-219966
Applicant:三洋電機株式会社
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