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J-GLOBAL ID:200903001809421327
TFT基板及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊藤 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005005637
Publication number (International publication number):2006195086
Application date: Jan. 12, 2005
Publication date: Jul. 27, 2006
Summary:
【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、TFT(薄膜トランジスタ)基板の製造方法を簡略化する。【解決手段】 表示装置に用いられるTFT基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Alゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、Alソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Alゲート電極及び/又は前記Alソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするTFT基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
表示装置に用いられるTFT基板であって、
透明基板と、
前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、
前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、
を備え、
前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Alゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、Alソース・ドレイン電極と、を含み、
前記画素電極は、前記Alゲート電極及び/又は前記Alソース・ドレイン電極と直接接合し、
当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするTFT基板。
IPC (7):
G09F 9/30
, G02F 1/134
, G02F 1/136
, H01B 5/14
, H01B 13/00
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (10):
G09F9/30 339Z
, G09F9/30 338
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H01B5/14 A
, H01B5/14 B
, H01B13/00 503B
, H01B13/00 503D
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 612D
F-Term (52):
2H092HA03
, 2H092JA24
, 2H092KA17
, 2H092KB13
, 2H092NA27
, 5C094AA02
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094EA04
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5F110AA03
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE06
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK22
, 5F110HK25
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HM18
, 5F110NN02
, 5F110NN14
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110QQ01
, 5F110QQ05
, 5G307FA01
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
, 5G323CA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (14)
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特開昭63-184726号公報
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TFT基板、それを用いた液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-200710
Applicant:出光興産株式会社
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表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-274288
Applicant:株式会社神戸製鋼所
-
特開昭60-068508号公報
-
透明導電膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-079645
Applicant:グンゼ株式会社
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ZnO-SnO2 系透明導電性膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-209247
Applicant:住友金属鉱山株式会社
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液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-066371
Applicant:出光興産株式会社
-
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-219511
Applicant:シャープ株式会社
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画像形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-353708
Applicant:ミノルタ株式会社
-
表示装置用アレイ基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-061107
Applicant:株式会社東芝
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有機物の処理方法、及び同装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-076521
Applicant:株式会社東洋環境技術研究所, 環境科学工業株式会社
-
半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-184747
Applicant:株式会社神戸製鋼所
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Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
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Application number:特願平6-096597
Applicant:株式会社神戸製鋼所
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特開平1-289140号公報
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Cited by examiner (7)
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液晶表示装置
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Application number:特願2000-142768
Applicant:出光興産株式会社
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透明導電膜およびその製造方法
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Application number:特願平7-209193
Applicant:大日本印刷株式会社
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液晶表示装置
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Application number:特願2001-298993
Applicant:株式会社日立製作所
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導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-394426
Applicant:シャープ株式会社
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透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-058386
Applicant:出光興産株式会社
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薄膜素子、薄膜素子の製造方法、電気光学装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-212759
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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電気光学素子の製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-095436
Applicant:株式会社アドバンスト・ディスプレイ
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