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J-GLOBAL ID:200903005109003040

リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003392310
Publication number (International publication number):2004172626
Application date: Nov. 21, 2003
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】リソグラフィー装置で第1ガスと第2ガスが混合しない方法および装置を提供する。【解決手段】第3ガスを使用して第2ガスから第1ガスを分離する方法および装置であり、第1ガスにもとづく光を放射する素子を有する第1室、方法を実施するために放射した光を使用し、第2ガスを有する第2室、第1ガスと第2ガスを結合するガスロック、ガスロック中で第1ガスを第2ガスから分離するように、ガスロック中に第1ガスと第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源を有する装置において、第1室から第1ガスおよび第3ガスを供給し、互いに分離して、第1ガスを循環させて放射した光を形成するために再利用する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
第1ガスにもとづく光を放射する部品を有する第1室、 方法を実施するために放射した光を使用し、かつ第2ガスを有する第2室、 第1ガスと第2ガスを結合するガスロック、および ガスロック中で第2ガスから第1ガスを分離するために、ガスロック中に第1ガスと第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源 を有する装置。
IPC (2):
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (2):
H01L21/30 531A ,  G03F7/20 521
F-Term (2):
5F046GA07 ,  5F046GC03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (19)
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Cited by examiner (20)
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • Mitigation of surface contamination from resist outgassing in EUV lithography
Cited by examiner (1)
  • Mitigation of surface contamination from resist outgassing in EUV lithography

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