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J-GLOBAL ID:200903005109003040
リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003392310
Publication number (International publication number):2004172626
Application date: Nov. 21, 2003
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】リソグラフィー装置で第1ガスと第2ガスが混合しない方法および装置を提供する。【解決手段】第3ガスを使用して第2ガスから第1ガスを分離する方法および装置であり、第1ガスにもとづく光を放射する素子を有する第1室、方法を実施するために放射した光を使用し、第2ガスを有する第2室、第1ガスと第2ガスを結合するガスロック、ガスロック中で第1ガスを第2ガスから分離するように、ガスロック中に第1ガスと第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源を有する装置において、第1室から第1ガスおよび第3ガスを供給し、互いに分離して、第1ガスを循環させて放射した光を形成するために再利用する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
第1ガスにもとづく光を放射する部品を有する第1室、
方法を実施するために放射した光を使用し、かつ第2ガスを有する第2室、
第1ガスと第2ガスを結合するガスロック、および
ガスロック中で第2ガスから第1ガスを分離するために、ガスロック中に第1ガスと第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源
を有する装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/30 531A
, G03F7/20 521
F-Term (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (19)
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特開昭58-225636
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特開昭61-179046
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特開昭62-268048
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Cited by examiner (20)
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特開昭63-292553
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プラズマ・フォーカス高エネルギ・フォトン・ソース
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-127187
Applicant:サイマーインコーポレイテッド
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半導体製造工程用のリソグラフィ光源を提供するためのシステムおよび方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-617700
Applicant:アドヴァンスドエナジーシスティムズインク
-
活性ガス及びバッファガス制御を有するプラズマ集束光源
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-502807
Applicant:サイマー,インコーポレイテッド
-
特開昭63-292553
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特開平1-132099
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レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-024731
Applicant:株式会社日立製作所
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特開昭58-225636
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特開昭61-179046
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特開昭62-268048
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ブラストシールドを備えるプラズマフォーカス高エネルギフォトン源
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-118724
Applicant:サイマーインコーポレイテッド
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X線発生装置、X線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-287567
Applicant:株式会社ニコン
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平版投影装置用の照射源
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-404229
Applicant:エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
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EUVリソグラフィ装置の除染をする方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-375879
Applicant:カール-ツァイス-シュティフトゥング・トレーディング・アズ・カール・ツァイス
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放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-198425
Applicant:エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
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光源装置及びそれを用いた露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-183025
Applicant:ギガフォトン株式会社
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露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-260270
Applicant:京セラ株式会社
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高次コンビナトリアルケミカルプロセスを実施するためのシステムと方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-541840
Applicant:グラクソグループリミテッド
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放電ランプ光源装置及び方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-526942
Applicant:ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ
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高密度プラズマ焦点放射線源
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2005-501396
Applicant:サイエンスリサーチラボラトリーインコーポレイテッド
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
Mitigation of surface contamination from resist outgassing in EUV lithography
Cited by examiner (1)
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Mitigation of surface contamination from resist outgassing in EUV lithography
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