ホイスカー防止用スズメッキ浴

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：豊永博隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003164211
Publication number (International publication number)：2005002368
Application date： Jun. 09, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】加熱処理などを施すことなく、メッキ浴の組成を制御してスズホイスカーを有効に防止する。【解決手段】可溶性第一スズ塩と、バナジウム、ニッケル、ビスマスよりなる群から選ばれたホイスカー抑制金属を含有し、且つ、このホイスカー抑制金属の含有量がメッキ浴に対して100〜2000ppmであるスズメッキ浴である。ホイスカー抑制金属を特定の微量濃度以上で含むため、メッキ皮膜のスズホイスカーを有効に防止できる。また、コバルト、インジウム、亜鉛などもホイスカー抑制金属となり、これらの金属では20ppm又は10ppm以上の含有量(上限は共に2000ppm)でスズホイスカーを防止できる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

可溶性第一スズ塩を含有してなるスズメッキ浴において、バナジウム、ニッケル、ビスマスよりなる群から選ばれたホイスカー抑制金属の少なくとも一種を含有し、上記ホイスカー抑制金属の含有量がメッキ浴に対して100〜2000ppmであることを特徴とするホイスカー防止用スズメッキ浴。

IPC (2)：

C25D3/30 , C25D7/12

FI (2)：

C25D3/30 , C25D7/12

F-Term (25)：

4K023AA04 , 4K023AA17 , 4K023BA06 , 4K023BA08 , 4K023BA13 , 4K023BA15 , 4K023BA16 , 4K023BA29 , 4K023CA09 , 4K023CB03 , 4K023CB05 , 4K023CB07 , 4K023CB13 , 4K023CB18 , 4K023CB21 , 4K023CB40 , 4K023DA11 , 4K024AA07 , 4K024AB01 , 4K024BB09 , 4K024BB10 , 4K024BB11 , 4K024BB12 , 4K024BC02 , 4K024CA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (23)

Sn合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-355295 Applicant：株式会社村田製作所
スズ-銅系合金メッキ浴、並びに当該メッキ浴によりスズ-銅系合金皮膜を形成した電子部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-358198 Applicant：石原薬品株式会社, 株式会社大和化成研究所
錫-銀系合金酸性電気めっき浴
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077034 Applicant：ディップソール株式会社

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