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J-GLOBAL ID：200903011110041338

蒸着源、蒸着装置及び蒸着方法

Inventor： 阿川 義昭 ,  山本 佳宏 ,  沈 国華 ,  堀内 俊 ,  鈴木 修
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999108680
Publication number (International publication number)：2000303166
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Oct. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】蒸着源、蒸着装置及び蒸着方法の技術分野に関し、特に、同軸型真空アーク蒸着源に関する。【解決手段】本発明の蒸着源5では、絶縁部材10の側面20と、トリガ電極12の表面22と、蒸着材料14aの側面24とが、面一になるように構成されている。トリガ電極12と蒸着材料14aとの間に電圧を印加して、トリガ放電を発生させると、蒸着材料14aの側面24から荷電微粒子31や巨大粒子33が放射状に放出されるが、蒸着材料の側面24に沿う方向に放出される荷電微粒子31や巨大粒子33の数は非常に少ない。このため、蒸着材料の側面24と面一に配置された絶縁部材の側面20には、巨大粒子33がほとんど付着しないので、付着した巨大粒子33が再蒸発して基板4の表面に付着する量を少なくすることができ、従来に比して膜質の良好な薄膜を成膜することができる。

Claim (excerpt)：

筒状のアノード電極と、前記アノード電極内に配置された蒸着材料と、前記蒸着材料の近傍に、前記蒸着材料と非接触の状態で配置されたトリガ電極とを有し、前記蒸着材料と前記アノード電極との間に電圧を印加した状態で、前記トリガ電極に電圧を印加すると、該トリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電が発生し、前記アノード電極と前記蒸着材料との間にアーク放電が誘起され、前記蒸着材料の構成物質が、前記アノード電極の開口から放出されるように構成された蒸着源であって、前記アノード電極内には、中心軸線が前記アノード電極の中心軸線と同一方向に向くように、筒状の絶縁部材が設けられ、前記蒸着材料は、その先端の側面が前記絶縁部材の側面と面一になるように前記絶縁部材に取り付けられ、前記蒸着材料の近傍の前記絶縁部材の側面には、凹部が設けられ、前記凹部内には、前記トリガ電極が設けられ、前記トリガ電極の表面と、前記蒸着材料の側面と、前記トリガ電極及び前記蒸着材料の間にある前記絶縁部材の側面とが、面一になるようにされたことを特徴とする蒸着源。

F-Term (3)：

4K029CA03 ,  4K029DB07 ,  4K029DD06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-347430   Applicant：工業技術院長
• アーク式イオンプレーティング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-346478   Applicant：日新電機株式会社
• 真空放電蒸着に用いる基板被覆方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-091888   Applicant：ヴエイパーテクノロジイズ,インコーポレイテツド
• フッ化物薄膜の製造方法及びフッ化物薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-144471   Applicant：株式会社ニコン
• 磁気抵抗用磁性膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-083537   Applicant：日本真空技術株式会社
• 真空成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-155025   Applicant：日本板硝子株式会社, 住友重機械工業株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-145452   Applicant：ソニー株式会社
• 蒸着源及び蒸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-082701   Applicant：日本真空技術株式会社, 茶谷原昭義, 藤井兼栄, 工業技術院長
• 高純度薄膜形成用同軸型真空アーク蒸着源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-164476   Applicant：日本真空技術株式会社

Cited by examiner (9)

• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-347430   Applicant：工業技術院長
• アーク式イオンプレーティング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-346478   Applicant：日新電機株式会社
• 真空放電蒸着に用いる基板被覆方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-091888   Applicant：ヴエイパーテクノロジイズ,インコーポレイテツド
• フッ化物薄膜の製造方法及びフッ化物薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-144471   Applicant：株式会社ニコン
• 磁気抵抗用磁性膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-083537   Applicant：日本真空技術株式会社
• 真空成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-155025   Applicant：日本板硝子株式会社, 住友重機械工業株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-145452   Applicant：ソニー株式会社
• 蒸着源及び蒸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-082701   Applicant：日本真空技術株式会社, 茶谷原昭義, 藤井兼栄, 工業技術院長
• 高純度薄膜形成用同軸型真空アーク蒸着源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-164476   Applicant：日本真空技術株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 同軸型真空アーク蒸着源-微粒子混入のないアーク放電成膜-

Cited by examiner (1)

• 同軸型真空アーク蒸着源-微粒子混入のないアーク放電成膜-