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J-GLOBAL ID：200903013578816500

水素分離用薄膜の製造方法およびパラジウムめっき浴

Inventor：
上宮 成之

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吉田 英夫

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曽根 正人

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佐藤 信義

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宮田 清蔵

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Applicant, Patent owner：
上宮 成之

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吉田 英夫

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旭化成エンジニアリング株式会社

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Agent (1)： 千明 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004055910
Publication number (International publication number)：2005248192
Application date： Mar. 01, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
【課題】 例えば改質型燃料電池に使用する水素分離膜の製造に好適で、水素分離膜を薄膜化し、水素を高純度に分離でき、燃料改質器の小形軽量化と改質反応の高効率化と経済性を図れ、しかもピンホ-ルがなく緻密かつ均一な薄膜を安価に得られるとともに、水素分離膜としてパラジウム薄膜をめっき法により製造する際のめっき浴に好適で、めっき液の使用量を低減し均一なパラジウム皮膜を析出できるとともに、めっきの生産性を向上できる、水素分離用薄膜の製造方法およびパラジウムめっき浴を提供すること。【解決手段】 反応浴1に収容しためっき液10中の金属イオンを被めっき物18に析出させる水素分離用薄膜の製造方法であること。 前記反応浴1にめっき液10と、超臨界状態またはその形成物質と、界面活性剤11とを収容する。 前記反応浴1に超臨界状態とエマルジョン状態とを形成後、前記金属イオンを拡散させ被めっき物18に析出させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
反応浴に収容しためっき液中の金属イオンを被めっき物に析出させる水素分離用薄膜の製造方法において、前記反応浴にめっき液と、超臨界状態またはその形成物質と、界面活性剤とを収容し、該反応浴に超臨界状態とエマルジョン状態とを形成後、前記金属イオンを拡散させ被めっき物に析出させることを特徴とする水素分離用薄膜の製造方法。
IPC (2)：
C23C18/44 ,  C23C18/31
FI (2)：
C23C18/44 ,  C23C18/31 A
F-Term (10)：
4K022AA02 ,  4K022AA04 ,  4K022AA43 ,  4K022BA28 ,  4K022DA03 ,  4K022DB03 ,  4K022DB04 ,  5H027AA06 ,  5H027BA01 ,  5H027BA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
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Cited by examiner (14)
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