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J-GLOBAL ID：200903013838611451

窒化物半導体レ-ザ素子の製造方法

Inventor：
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦

, 
杉本 康宣

About 杉本 康宣


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999098020
Publication number (International publication number)：2000174380
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【目的】ラテラル成長した窒化ガリウムを有する窒化物半導体レーザ素子において、サファイア基板を研磨によって薄くした際の、ウエハの反り、割れ、及び欠けなどの発生を緩和し、容易にウエハをチップ化できると共に、鏡面に近い共振面を得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。【構成】異種基板の上にラテラル成長した窒化ガリウム、更にその上に窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体の一部を異種基板が露出するまでエッチングする(図2斜線部)。また共振面となる面のうち、少なくともレーザ出射側を、窒化ガリウムの劈開により形成する(I-I)。
Claim (excerpt)：
異種基板上に、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、少なくともラテラル成長した窒化ガリウムからなる下地層を有し、その上に窒化物半導体層を成長させた後、その窒化物半導体層の一部を異種基板が露出するまでエッチングすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/10 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 640 ,  H01L 33/00 C
F-Term (17)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041FF01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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