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J-GLOBAL ID：200903014819295936

ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法

Inventor：
脇屋 和正

About 脇屋 和正

, 
小林 政一

About 小林 政一


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999258118
Publication number (International publication number)：2001083713
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 アッシング処理後に生じるホトレジスト変質膜、エッチング残渣物(金属デポジション)等の残渣物の剥離性に優れ、かつ、水でのリンス処理時、基板の防食性に優れるホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。【解決手段】 (a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒、(c)塩基性物質、および(d)水を配合してホトレジスト用剥離液とする。そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、続いてアッシング処理をした後、上記剥離液を用いてホトレジストパターンを剥離し、次いで基板を水でリンス処理する。
Claim (excerpt)：
(a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒、(c)塩基性物質、および(d)水を含有してなる、ホトレジスト用剥離液。
IPC (2)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B
F-Term (5)：
2H096AA25 ,  2H096HA13 ,  2H096HA14 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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