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J-GLOBAL ID：200903015038202840

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
今井 馨太郎

About 今井 馨太郎

, 
有門 経敏

About 有門 経敏

, 
須黒 恭一

About 須黒 恭一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997312410
Publication number (International publication number)：1999145410
Application date： Nov. 13, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】キャパシタ絶縁膜として金属酸化物からなる絶縁膜を用いても、水素によるキャパシタ絶縁膜の膜質劣化を防止できるキャパシタを提供すること。【解決手段】Ruからなる下部キャパシタ電極116と、この下部キャパシタ電極116上に設けられた(Ba,Sr)TiO3 からなるキャパシタ絶縁膜117と、このキャパシタ絶縁膜117上に設けられたRuからなる上部キャパシタ電極118とから構成されたキャパシタにおいて、上部キャパシタ電極118上に水素浸透防止膜としてのTiNx 膜119を設ける。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、かつ第1のキャパシタ電極と、この第1のキャパシタ電極上に設けられた金属酸化物からなるキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に設けられた第2のキャパシタ電極と、この第2のキャパシタ電極上に設けられた水素浸透防止膜とから構成されたキャパシタとを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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