誘電体キャパシタおよびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997288690
Publication number (International publication number)：1999121704
Application date： Oct. 21, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】誘電体キャパシタの誘電体膜または強誘電体膜と層間絶縁膜との反応による誘電体キャパシタの特性の劣化を防止すること、および誘電体キャパシタの誘電体膜または強誘電体膜の酸素欠陥による誘電体キャパシタの特性の劣化を防止することができる誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】導電性のSi基板1上に下部電極2と、SBT膜3と、上部電極4とを順次積層し、この誘電体キャパシタをTa2 O5 膜5で覆い、その表面をさらにSiO2 膜6で覆う。Ta2 O5 膜5およびSiO2 膜6のうち上部電極4の上の部分にコンタクトホール7を設ける。コンタクトホール7を通じて上部電極4と接続するように引き出し電極8を設ける。また、Ta2 O5 膜5の表面を水素拡散防止効果がある絶縁性のSiN膜で覆うようにしてもよい。

Claim (excerpt)：

下部電極と、上記下部電極上の誘電体膜と、上記誘電体膜上の上部電極とからなる誘電体キャパシタにおいて、上記誘電体キャパシタが、Nb2 O5 、Ta2 O5 、ZrO2 、CeO2 、Y2 O3 またはHf2 O3 からなる反応防止膜で覆われていることを特徴とする誘電体キャパシタ。

IPC (5)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-138262 Applicant：シャープ株式会社
半導体メモリ素子及び該素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221674 Applicant：シャープ株式会社
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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