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J-GLOBAL ID：200903018054880946
フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (3)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005220587
Publication number (International publication number)：2006146152
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】 微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。【解決手段】 光学的に透明な基板11の一方主面に遮光性膜12が設けられており、この遮光性膜12が第1の遮光性膜13と第2の遮光性膜14を順次積層させて構成されている。第1の遮光性膜13はフッ素系(F系)のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。さらに、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。ここで、珪素含有化合物は、珪素10〜95at%、酸素0〜60at%、窒素0〜57at%、遷移金属0〜35at%、の範囲の組成とされ、遷移金属は例えばモリブデン(Mo)とされる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
露光光に対して透明な基板上に第1遮光性膜と第2遮光性膜とが順次積層された遮光性膜を備えたフォトマスクブランクであって、
前記第1遮光性膜は、フッ素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされないクロム(Cr)を主成分とする層を含み、
前記第2遮光性膜はフッ素系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする層を含む、ことを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
G03F1/08 K
, G03F1/14 F
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB17
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC11
, 2H095BC14
, 2H095BC20
Cited by applicant (13)
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