フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005220562
Publication number (International publication number)：2006146151
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。【解決手段】光学的に透明な基板11の一方主面に形成されたハーフトーン位相シフト膜などの光学膜15上に遮光性膜12が設けられており、この遮光性膜12が第1の遮光性膜13と第2の遮光性膜14を順次積層させて構成されている。第1の遮光性膜13はフッ素系のドライエッチング(F系ドライエッチング)では実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。さらに、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属(例えば、モリブデン(Mo))の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

露光光に対して透明な基板上に設けられた光学膜上に、第1遮光性膜と第2遮光性膜とが順次積層された遮光性膜を備えたフォトマスクブランクであって、前記第1遮光性膜は、フッ素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされないクロム(Cr)を主成分とする層を含み、前記第2遮光性膜はフッ素系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする層を含む、ことを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (3)：

G03F 1/08 , C23C 14/06 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F1/08 K , C23C14/06 A , C23C14/06 K , H01L21/30 502P

F-Term (17)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB16 , 2H095BC05 , 2H095BC11 , 4K029BA07 , 4K029BA41 , 4K029BA43 , 4K029BA55 , 4K029BA58 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029EA01 , 4K029EA05 , 4K029EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (13)

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-400378 Applicant：HOYA株式会社
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-399790 Applicant：HOYA株式会社
登録実用新案第3093632号公報

Show all

Cited by examiner (6)

ブランクマスク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-201651 Applicant：三星電子株式会社
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-361531 Applicant：ホーヤ株式会社
フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-328159 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page