半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002136498
Publication number (International publication number)：2003037286
Application date： May. 13, 2002
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体層が該半導体層を成長する母材基板から受ける応力を確実に低減できるようにすると共に、該母材基板を半導体層から容易に分離できるようにする。【解決手段】サファイアからなる母材基板11の上に、厚さが約5μmのn型GaNからなるn型コンタクト層12を成長する。一旦、反応炉から取り出して、レーザ光80を母材基板11側からn型コンタクト層12に照射することにより、母材基板11とn型コンタクト層12との間にn型コンタクト層12が熱分解してなる熱分解層12aを形成して、母材基板11とn型コンタクト層12の間の接合を分離する。次に、母材基板11の上に接着された状態のn型コンタクト層12の上に発光層14を含むエピタキシャル層を成長する。次に、熱分解層12aを塩酸で除去することにより、エピタキシャル層から母材基板11を分離して除去する。

Claim (excerpt)：

母材基板の上に第1の半導体層を形成する第1の工程と、前記母材基板に対して前記第1の半導体層の反対側の面から照射光を照射することにより、前記第1の半導体層と前記母材基板との間に前記第1の半導体層が熱分解されてなる熱分解層を形成する第2の工程と、前記熱分解層が形成された第1の半導体層の上に、能動層を含む第2の半導体層を形成する第3の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (9)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-063281 Applicant：松下電器産業株式会社
応力緩和された積層構造を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-238154 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
窒化物半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-128769 Applicant：パイオニア株式会社

Show all

Return to Previous Page