GaN系のIII-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001383523
Publication number (International publication number)：2002232003
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 GaN系のIII-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】高抵抗性基板60を挟んで対向して備わった、または前記基板の上側に同じ方向に備わった第1及び第2電極、前記第1及び前記第2電極間に光放出のための物質層またはレージングのための物質層58を備えるが、前記第2電極64が前記高抵抗性基板のエッチングされた部分62を介して露出される前記物質層と接触した、または前記高抵抗性基板の底面上に前記物質層の露出された部分を覆う熱伝導層が形成されたことを特徴とする発光素子及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

光放出が起こる活性層と、前記活性層を中心に対向して備わった第1電極と第2電極と、前記活性層と前記第1電極間に備わった第1化合物半導体層と、前記活性層と前記第2電極間に備わっているが、前記活性層を中心に前記第1化合物半導体層と対向して備わった第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層の底面に備わった高抵抗性基板とを備え、前記高抵抗性基板は一部が除去されて前記第1化合物半導体層と前記第1電極とが互いに電気的に接触するように備わったことを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

F-Term (14)：

5F041AA03 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CA99 , 5F041CB15 , 5F073AA45 , 5F073AA61 , 5F073CA02 , 5F073CB05 , 5F073CB22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体発光素子および発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-118025 Applicant：株式会社東芝
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190069 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354571 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩

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