Pat
J-GLOBAL ID:200903028091088867

半導体発光素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 細田 芳徳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004294205
Publication number (International publication number):2005203737
Application date: Oct. 06, 2004
Publication date: Jul. 28, 2005
Summary:
【課題】半導体発光素子からの光取出し効率が良く、製造時の半導体発光素子の破損を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】(1)半導体発光素子の光取り出し面側にポリカルボジイミドを含む層を積層する工程、及び(2)前記ポリカルボジイミドを含む層に凹凸を形成する工程を含む半導体発光素子の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(1)半導体発光素子の光取り出し面側にポリカルボジイミドを含む層を積層する工程、及び (2)前記ポリカルボジイミドを含む層に凹凸を形成する工程 を含む半導体発光素子の製造方法。
IPC (1):
H01L33/00
FI (1):
H01L33/00 Z
F-Term (8):
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041EE25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (18)
Show all

Return to Previous Page